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还在为功率转换效率瓶颈而困扰吗？STS8N6LF6AG N沟道MOSFET是您提升系统性能的得力助手。它能在高达60V的电压和8A的电流下稳定工作，其核心价值在于极低的导通电阻（仅24毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

这颗芯片专为要求严苛的汽车和工业应用而生。它采用先进的STripFET F6技术，具备快速的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）。这意味着您可以轻松将其集成到电机控制、电源管理或各种开关电路中，在节省宝贵PCB空间的同时，获得卓越的可靠性和能效表现，让您的产品设计脱颖而出。

• 型号:STS8N6LF6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1340 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS8N6LF6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。