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还在寻找一颗能轻松驾驭千伏级电压，同时保持高效开关性能的“能量开关”吗？STP1N105K3正是您的理想之选。这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有高达1050V的击穿电压和仅1.4A的连续漏极电流能力，专为高压、中低功率的开关应用而优化。

它能为您做什么？核心在于其优异的动态参数：低至11欧姆的导通电阻配合极小的栅极电荷（13nC），让您在控制开关损耗与传导损耗之间找到完美平衡。这意味着您的电源或驱动电路可以实现更高的能效，运行温度更低，系统可靠性自然大幅提升。无论是构建紧凑的反激式电源，还是设计高效的LED驱动，它都能让您轻松应对高压隔离和功率切换的挑战，是提升产品性能与稳定性的得力助手。

• 型号:STP1N105K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP1N105K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。