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还在为高压小功率开关的效率与体积发愁吗？STD1NK80ZT4正是为您量身打造的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的漏源电压和1A的连续电流能力，让您能在开关电源、LED驱动等高压应用中，轻松实现高效、低损耗的能量切换。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（16Ω）与栅极电荷（7.7nC），显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。同时，其紧凑的DPAK表面贴装封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），让您的设计在追求高性能的同时，也能兼顾可靠性与空间利用率。

• 型号:STD1NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD1NK80ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。