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还在为电源转换效率或电机驱动性能而烦恼吗？STL36DN6F7双N沟道MOSFET正是为您的高效设计而生。它集成了两个高性能的N通道，能轻松处理高达60V的电压和33A的连续电流，让您的电源模块或驱动电路运行得更稳定、更强劲。

得益于其极低的导通电阻和优化的开关特性，这颗芯片能显著降低系统功耗和发热，直接提升您产品的整体能效和可靠性。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，STL36DN6F7都能让您以更小的体积，实现更卓越的性能，助您快速将高效、紧凑的产品推向市场。

• 型号:STL36DN6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420pF @ 30V
• 功率 - 最大值:58W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL36DN6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。