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还在为驱动高压侧功率开关的复杂性和风险担忧吗？让TD350ID来为您轻松化解！这颗来自ST意法半导体的高端单通道栅极驱动器，专为高效、可靠地驱动IGBT和N沟道MOSFET而设计。

它能在12V至26V的宽电压范围内工作，提供强劲的2.3A拉电流和1.5A灌电流输出，配合极快的开关速度（典型上升时间130ns），能显著降低开关损耗，提升您的系统整体能效。其坚固的设计支持-40°C至150°C的广阔工作结温，并采用易于集成的14-SOIC封装，让您在各种严苛的工业与汽车应用中都能实现高效、稳定的功率控制。

• 型号:TD350ID
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• TD350ID，ST（意法半导体）产品一站式供应商。