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您正在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STP13NM60N正是为您而来。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/11A的强劲规格，其极低的导通电阻（Rds(on)）能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动应用效率更高、发热更少。

它具备优异的开关特性，如较低的栅极电荷和输入电容，让您能够轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作，从而提升系统整体响应速度与可靠性。其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定运行，是您构建高效、耐用电力电子系统的理想核心器件。

• 型号:STP13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。