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还在为高压大功率应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STB21N90K5来为您提供突破性的解决方案。这颗基于SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和18.5A的连续电流能力，能轻松驾驭严苛的功率开关环境。

它凭借极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是用于提升电源转换效率，还是驱动高性能电机，它都能让您以更小的体积和更低的温升，实现更强大的功率输出，彻底释放您设计的潜能。

• 型号:STB21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB21N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。