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您是否渴望为您的功率转换系统注入一颗强劲而高效的心脏？STGW80V60DF正是这样一款能够彻底改变游戏规则的IGBT。它集600V耐压、120A持续电流与469W强大功率于一身，采用先进的沟槽型场截止技术，能将导通损耗降至最低，让您的设备运行更凉爽，能效表现大幅提升。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭电机驱动、UPS和光伏逆变器等应用中的苛刻功率开关任务。其优异的开关特性（低至1.8mJ的开启能量）和快速的反向恢复时间，意味着您可以实现更高的开关频率，从而设计出更紧凑、更轻量的系统。同时，宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在各种严酷环境下都能稳定可靠地工作，是您打造高性能、高可靠性产品的理想基石。

• 型号:STGW80V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:1.8mJ（导通），1mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:448 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns
• 测试条件:400V，80A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3 焊盘
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW80V60DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。