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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STI14NM65N正是您的得力助手！这颗来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，专为要求严苛的电源和电机控制应用而生。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅380毫欧）和优化的栅极电荷（45nC），这让它开关速度迅猛，损耗显著降低。您能轻松实现更高的系统效率，同时减少散热设计的压力。配合通孔I2PAK封装带来的出色散热性能，它能让您的设计在高达150°C的结温下稳定工作，确保终端产品的长期可靠与耐用。

• 制造商产品型号：STI14NM65N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• STI14NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。