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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STP11NM65N正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和11A的强劲电流通过能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时信心十足。

它的核心价值在于卓越的效率。仅455毫欧的超低导通电阻，能大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，优化的栅极和电容特性确保了快速干净的开关动作，帮助您轻松提升系统工作频率和整体响应速度。选择它，就是选择了一份可靠的性能保障和显著提升的产品竞争力。

• 型号:STP11NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:455 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。