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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和强大驱动能力的功率开关吗？STGW35NB60SD正是为您而来。这颗来自意法半导体的600V/70A IBT，采用先进的PowerMESH技术，能够显著降低导通和开关损耗，让您的电源转换系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了低至1.7V的Vce(sat)和快速的开关速度，能轻松应对电机驱动、UPS和太阳能逆变器等应用中的高频开关需求。其坚固的TO-247封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，确保了它在恶劣环境下依然稳定如山，大幅提升您产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STGW35NB60SD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 70A TO-247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:200 W
• 开关能量:840J（导通），7.4mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:83 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:92ns/1.1s
• 测试条件:480V，20A，100 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):44 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW35NB60SD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。