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还在为高压小功率电路的开关器件选型而犹豫吗？让STQ3NK50ZR-AP来为您提供清晰高效的解决方案。这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达500V的击穿电压和500mA的电流处理能力，专为要求苛刻的开关应用而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。仅需10V驱动电压即可实现优异的导通特性，最大3.3欧姆的导通电阻能显著降低开关过程中的功率损耗。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快，系统响应更迅捷。无论是构建紧凑的电源模块，还是驱动LED阵列，它都能帮助您轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:STQ3NK50ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• STQ3NK50ZR-AP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。