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您是否渴望突破效率瓶颈，打造更小、更轻、更酷的电源系统？SCTW40N120G2VAG正是为您实现这一目标的利器。这颗来自ST的1200V/33A碳化硅MOSFET，凭借其革命性的SiC技术，能为您带来极低的开关损耗和导通损耗（Rds(on)仅105mΩ），让您轻松实现超过96%的系统效率，同时显著降低散热需求。

它让您能够工作在更高的开关频率下，从而大幅缩减变压器、电感等被动元件的体积和重量，助力您的产品设计更加紧凑高效。其坚固的HiP247封装和宽广的工作温度范围（-55°C至200°C），结合汽车级AEC-Q101认证，确保了它在最严苛的应用环境中依然稳定可靠，为您产品的长期耐用性提供坚实保障。

• 型号:SCTW40N120G2VAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105毫欧 @ 20A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1230 pF @ 800 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:290W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTW40N120G2VAG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。