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还在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的“硬核”芯片吗？STP11NM60A正是为您而来！这颗采用ST先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有高达600V的漏源击穿电压和11A的连续电流承载能力，专为要求苛刻的功率转换场景而生。

它能为您做什么？核心就是让您的电源设计更高效、更可靠。其低至450毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效；优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作干净利落，减少开关损耗和电磁干扰。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动电机，它都能让您轻松应对，确保系统在高功率下依然稳定运行。

凭借TO-220AB经典封装带来的优异散热能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，STP11NM60A是您打造坚固耐用电力电子产品的信心之选。

• 型号:STP11NM60A
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1211 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM60A，ST（意法半导体）产品一站式供应商。