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还在寻找那颗能兼顾高性能与小体积的“核心开关”吗？STL7N10F7 N沟道功率MOSFET就是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET VII技术，在微型PowerFlat封装内，为您提供100V耐压和7A的持续电流能力，同时将导通电阻控制在极低的35毫欧。这意味着它能显著降低导通损耗，提升系统整体效率，让您的电源或电机驱动设计更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效率的DC-DC功率转换，胜任电机驱动、负载开关等关键任务。其低栅极电荷特性确保了快速的开关响应，非常适合高频应用。无论是提升便携式设备的续航，还是缩小工业模块的体积，STL7N10F7都能成为您提升产品竞争力的得力助手，助您轻松设计出更紧凑、更可靠的下一代电子产品。

• 型号:STL7N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL7N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。