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您正在寻找一颗能“扛大梁”的功率开关吗？STD70N03L正是这样一款专为高效能量控制而生的N沟道MOSFET。它能让您轻松驾驭高达70A的连续电流，凭借其惊人的7.3毫欧超低导通电阻，显著减少功率损耗，直接将更多电能高效输送给您的负载，无论是用于电源转换还是电机驱动，都能让系统运行得更“冷静”、更持久。

这颗芯片基于ST先进的STripFET III技术打造，不仅开关速度快，栅极电荷（Qg）低至21nC，让您的驱动电路设计更简单、响应更迅捷。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在各种挑战性环境中稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STD70N03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 70A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD70N03L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。