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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的功率开关吗？STP11N60DM2正是为您而来的解决方案。这颗采用MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和10A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动或PFC电路时底气十足。

它的卓越之处在于极低的导通电阻与栅极电荷，这能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统的整体能效。您将轻松实现更高效的能源转换，同时减少散热需求，简化系统设计。其坚固的TO-220封装和宽工作温度范围，确保了在各种应用环境中都能稳定运行，是追求高性能与高可靠性的您的理想选择。

• 型号:STP11N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。