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还在为如何平衡电源系统的高效率与高可靠性而烦恼吗？让STL45N60DM6为您提供一站式的解决方案。这颗N沟道600V功率MOSFET，基于意法半导体先进的MDmesh DM6技术打造，能轻松驾驭25A的连续电流，并以低至110毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗，直接提升您的整机能效，让热量管理变得更简单。

它采用热性能卓越的PowerFlat HV表面贴装封装，帮助您实现更紧凑、更高功率密度的设计。无论是面对工业驱动严苛的工况，还是消费电子对尺寸的极限要求，它宽广的工作温度范围和坚固的电气特性，都能确保系统长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的心脏。

• 型号:STL45N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1920 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL45N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。