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您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的功率开关？STF10NK50Z就是您的理想答案。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和9A的连续电流处理能力，专为 demanding 的功率转换场景而生。

它的核心价值在于，通过低至700毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。TO-220FP封装确保了出色的功率耗散能力，轻松应对高负荷工作。选择它，就是为您的设计注入一份经久耐用的高性能保障。

• 型号:STF10NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1219 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。