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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的“核心引擎”吗？STFI13NK60Z正是这样一位实力派选手。它基于ST先进的SuperMESH技术打造，拥有600V的漏源击穿电压和13A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或PFC电路时，面对高压母线从容不迫，高效完成能量转换任务。

这颗芯片的精髓在于其卓越的能效表现。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着在导通状态下损耗更小，发热更低；而优化的动态参数（如栅极电荷）则确保了快速、干净的开关动作，有效降低开关损耗与噪声。这一切共同作用，让您的终端产品能效更高、运行更稳定、温度更可控。其坚固的TO-281封装和宽温度范围，更是为它在严苛工业环境中的可靠运行提供了坚实保障。

• 型号:STFI13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。