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还在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP110N8F6正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体STripFET F6系列的N沟道MOSFET，拥有80V的耐压和高达110A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅6.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它能让您轻松应对伺服驱动、大功率DC-DC转换和UPS等应用中的严峻挑战。优化的栅极电荷和开关特性，确保了快速响应与低开关损耗，帮助您提升系统整体能效并简化散热设计。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和经典的TO-220封装，进一步保障了其在各种环境下的可靠性与易用性。选择STP110N8F6，就是为您的产品选择了强劲、可靠的心脏。

• 型号:STP110N8F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9130 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP110N8F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。