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还在为功率开关器件的驱动而烦恼吗？让L6386AD来为您化繁为简！这颗专为半桥拓扑优化的栅极驱动器，能高效、可靠地驱动您的IGBT或MOSFET。它集成了关键的互锁保护和死区时间控制，自动防止上下管直通，从根本上守护您的系统安全。

凭借高达650mA/400mA的强劲输出电流和纳秒级的开关速度，它能显著提升您的开关电源、电机驱动或照明系统的效率与功率密度。其宽泛的供电与逻辑电压兼容性，以及-40°C至150°C的坚固特性，让您能轻松应对各种严苛应用环境，实现高性能与高可靠性的完美统一。

• 型号:L6386AD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6386AD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。