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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP80N10F7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET是ST意法半导体功率器件家族的明星，它能轻松驾驭高达80A的连续电流和100V的电压，核心使命就是让您的电源转换、电机控制等应用运行得无比高效、冷静。

它采用先进的STripFET VII技术，导通电阻低至10毫欧，这意味着在导通状态下能量损耗极低，更多电能被有效利用，而非转化为恼人的热量。同时，优化的栅极特性让您能更轻松地驱动它，实现快速、干净的开关动作，从而提升系统整体频率和响应速度。

无论是构建更紧凑的工业电源，还是设计更可靠的电机驱动板，STP80N10F7都能以其卓越的电气性能和坚固的TO-220封装，为您提供坚实的保障，让您的产品在能效和可靠性上赢得关键优势。

• 型号:STP80N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。