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想象一下，一颗能轻松驾驭950V高压，同时保持敏捷开关和低发热的功率芯片，能为您的设计带来怎样的变革？STU2N95K5正是这样一款利器。它基于ST先进的SuperMESH5技术，旨在让您的高压电源和驱动电路运行得更高效、更可靠。

这颗N沟道MOSFET拥有2A的连续电流能力，在10V驱动电压下展现优异的导通特性。其极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应迅速，整体能效显著提升。无论是构建紧凑的适配器、高效的LED驱动器，还是稳定的电机控制电路，它都能出色胜任。

采用坚固的TO-251通孔封装，并提供宽广的工作温度范围，STU2N95K5为您应对各种严苛环境增添了信心。选择它，就是选择了一种让设计更简化、让性能更卓越的轻松途径。

• 型号:STU2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。