我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STN3NF06L现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能兼顾性能、效率与成本的功率开关而烦恼吗？让意法半导体的STN3NF06L来为您解决难题！这颗N沟道MOSFET是您实现高效电源控制的得力助手。

它拥有60V的耐压和4A的连续电流能力，凭借STripFET II技术，实现了仅100毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。其5V的低阈值驱动电压，让您能轻松地用MCU直接控制，简化电路设计。

无论是DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，采用SOT-223封装的STN3NF06L都能以紧凑的体积提供可靠的3.3W散热能力，助您轻松打造高效、稳定且具成本优势的电子产品。

• 型号:STN3NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN3NF06L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。