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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的“硬核”功率开关吗？STP180N10F3就是您期待的答案。它专为高效能量转换而设计，其惊人的120A连续电流能力和低至5.1毫欧的导通电阻，能显著降低系统运行中的导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

这颗芯片能让您轻松驾驭高功率应用。它采用成熟的TO-220封装，散热性能优异，结合宽广的-55°C至175°C工作结温，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高密度电源，选择它，就是为您的设计注入了强劲而高效的动力核心。

• 型号:STP180N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.1 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP180N10F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。