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还在为高电流开关应用中的损耗和散热问题头疼吗？让STD110NH02LT4来为您轻松化解！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是专为 demanding 的24V系统打造的功率开关利器。

它拥有高达80A的连续电流处理能力，而关键之处在于其超低的导通电阻在10V驱动下仅5毫欧。这意味着它能极大地减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷（93nC @10V）确保了快速开关性能，有助于提升系统频率与动态响应。

无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是驱动高功率的微型电机，STD110NH02LT4都能以紧凑的DPAK封装，为您提供强大、可靠的功率处理核心，让您的设计事半功倍。

• 型号:STD110NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD110NH02LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。