我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STN3NF06现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持设计简洁的功率开关吗？STN3NF06正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和4A持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET II技术，具备快速的开关特性和低栅极电荷，让您能轻松实现高频开关设计，提升电源转换效率。无论是用于电机控制、电源管理还是负载开关，STN3NF06都能以SOT-223的小巧身形，提供稳定可靠的高性能，是您优化产品能效与成本的得力助手。

• 型号:STN3NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN3NF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。