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还在寻找能大幅提升电源效率的“心脏”部件吗？STFI130N10F3正是您期待的答案。这颗基于意法半导体先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和46A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的9.6毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗。

这意味着，在您的DC-DC转换器、电机控制器或电源模块中，它能帮助您轻松实现更高的能效转换，让系统运行更凉爽、更可靠。优异的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，让您的设计响应更迅捷，整体性能更加高效稳定。

• 型号:STFI130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI130N10F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。