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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STD11N60DM2就是您期待的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh DM2家族的650V/10A N沟道MOSFET，专为高效功率转换而优化。它能让您轻松应对服务器电源、工业驱动等应用，其优异的开关特性与低导通电阻，直接助力提升系统整体能效。

它集高耐压、大电流与快速开关能力于一身，采用DPAK表面贴装封装，节省空间的同时具备出色的散热性能。选择它，意味着您选择了更低的能量损耗、更简洁的驱动设计以及更可靠的产品表现，让您的设计在性能和成本之间找到最佳平衡点。

• 型号:STD11N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:614 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。