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还在为电源效率难以提升而烦恼吗？STPSC10H065B-TR碳化硅肖特基二极管，正是为您突破瓶颈而生的利器。它能让您的650V/10A应用彻底告别开关损耗，凭借其革命性的零反向恢复时间特性，显著提升系统效率，同时降低电磁干扰，让设计更简洁高效。

这颗芯片采用先进的SiC技术，为您带来极低的正向压降和近乎为零的开关损耗，特别适用于高频、高压的严苛环境，如服务器电源、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。选择它，就是选择更高的功率密度、更强的可靠性以及更轻松满足能效法规的解决方案，助您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STPSC10H065B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC10H065B-TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。