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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的功率开关吗？STN3N45K3正是为您而来的答案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有450V的高耐压和仅3.8欧姆的低导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换效率轻松跃升新台阶。

它能让您在设计紧凑型开关电源、LED驱动器或家电辅助电源时，从容应对空间限制。极低的栅极电荷和输入电容，简化了您的驱动电路设计，提升了开关速度。同时，SOT-223封装确保了良好的散热能力。选择STN3N45K3，就是选择了一种高效、可靠且易于实现的功率解决方案，助您快速将创意转化为具有市场竞争力的产品。

• 型号:STN3N45K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:164 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN3N45K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。