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您正在寻找一颗能同时征服高电流与高效率挑战的功率开关吗？STB200NF03T4正是您的理想答案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达120A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于仅3.6毫欧的超低导通电阻。这能让您轻松大幅降低导通损耗，直接提升系统的整体能效，把更多的电能用在“刀刃”上。

不仅如此，它优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您在追求高频高效的设计中游刃有余。无论是构建紧凑的服务器电源、驱动强劲的工业电机，还是设计高效的汽车电子系统，STB200NF03T4都能提供稳定、可靠的性能基石。选择它，就是选择让您的产品在性能与能效上双双赢得先机。

• 型号:STB200NF03T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB200NF03T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。