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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极高效率的功率开关吗？STB28NM60ND正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和23A的强大电流处理能力，专为 demanding 的应用而设计。

它采用先进的FDmesh II技术，能为您带来超低的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。其优化的动态特性有助于简化驱动设计，并提升开关速度，从而让您轻松实现更高的功率密度和更优的系统性能。

无论是提升现有产品的能效等级，还是确保关键应用的长期可靠运行，选择STB28NM60ND，就是为您的设计选择了一份经过验证的性能承诺。

• 型号:STB28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB28NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。