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您是否正在为空间紧凑、要求严苛的汽车电子应用寻找一颗“全能型”功率开关？STL8DN10LF3就是您理想的解决方案。这颗双N沟道MOSFET拥有100V耐压和20A强大电流能力，凭借其极低的导通电阻（仅35毫欧）和逻辑电平门驱动，能让您轻松实现高效率的功率转换与控制，显著降低系统功耗和温升。

它基于STripFET III技术打造，并通过了汽车级AEC-Q101认证，确保在-55°C至175°C的极端温度下稳定运行。采用节省空间的8-PowerVDFN封装，让您在追求高功率密度的设计中游刃有余。选择它，就是为您的电机驱动、电源管理或负载开关应用注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:STL8DN10LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:970pF @ 25V
• 功率 - 最大值:70W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL8DN10LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。