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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高效节能的功率开关吗？STP2N95K5正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达950V的击穿电压和2A的连续电流能力，基于先进的SuperMESH5技术打造，能显著降低导通和开关损耗。

它让您在开发开关电源(SMPS)、LED驱动或电机控制应用时，轻松实现更高的系统效率与功率密度。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，而坚固的TO-220封装则提供了出色的散热性能。选择STP2N95K5，就是为您的产品注入高效、可靠的核心动力。

• 型号:STP2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。