我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP9NM50N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在为高压开关应用寻找一颗性能与可靠性的标杆吗？STP9NM50N正是为您而来。这颗基于意法半导体MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和5A的强电流能力，其核心使命是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更冷静。

它通过低至560毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，帮助您提升整体能效。同时，极低的栅极电荷让开关动作干净利落，轻松实现高速开关，减少开关损耗。无论是应对频繁启停的电机，还是需要稳定输出的开关电源，它都能提供坚实的支持，让您的设计在性能和可靠性上双双赢得优势。

• 型号:STP9NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。