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还在为电源转换效率低下或电机驱动不够强劲而烦恼吗？STL70N4LLF5 N沟道功率MOSFET正是为您破局而来的利器。它拥有惊人的70A连续电流能力和低至6.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更高效、更凉爽，直接提升整体能效和可靠性。

这颗芯片采用先进的STripFET V技术，并符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，专为应对高要求环境而设计。其紧凑的PowerFlat封装让您能在有限空间内实现大功率布局，同时宽达-55°C至175°C的工作结温范围，确保它在各种恶劣条件下性能依然稳定。选择它，就是为您的汽车电子、工业电源或电机驱动应用注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STL70N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 70A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL70N4LLF5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。