我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF3LN80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关设计中的效率与散热难题寻找答案吗？让STF3LN80K5为您提供卓越的解决方案。这颗基于ST先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的漏源电压和仅3.25欧姆的低导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

其极低的栅极电荷和输入电容确保了快速、干净的开关特性，让您轻松实现更高频率的设计，同时减少开关损耗。高达20W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），赋予它出色的可靠性与稳定性。无论是用于开关电源、电机驱动还是照明镇流器，STF3LN80K5都能让您的设计更高效、更紧凑、更具竞争力。

• 型号:STF3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。