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还在为高压应用中的效率瓶颈和可靠性担忧吗？让STP7NK80Z为您带来改变。这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和5.2A的连续电流能力，是您构建高效、坚固电源系统的理想核心开关。

它凭借先进的芯片技术，实现了低至1.8欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，从而提升您的整体系统效率。无论是用于开关电源、功率因数校正，还是照明和电机驱动，它都能让您的设计更高效、更可靠。其坚固的TO-220AB封装和125W的功率处理能力，确保它在各种严苛环境下稳定工作，让您轻松应对高功率密度挑战。

• 型号:STP7NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。