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您正在设计需要处理高压功率的转换器或电机驱动吗？STB21NK50Z正是为您应对这类挑战而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和17A的连续电流能力，其核心的SuperMESH技术让它能在10V驱动电压下，实现仅270毫欧的超低导通电阻，显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它不仅性能强悍，更具备出色的易用性和可靠性。极低的栅极电荷（仅119nC）意味着您可以用更简单的驱动电路来驾驭它，从而简化设计。符合汽车级AEC-Q101标准，确保它能在-55°C至150°C的严酷温度范围内稳定工作，是汽车电子或高可靠性工业应用的理想选择。选择STB21NK50Z，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STB21NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB21NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。