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STL18N55M5 零件图片(仅供参考)

STL18N55M5
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STL18N55M5 规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关管吗?STL18N55M5正是为您而来的答案。它集成了意法半导体先进的MDmesh V技术,拥有550V的漏源电压和极低的导通电阻,让您在设计反激式电源、PFC电路或电机驱动时,能显著降低开关损耗,提升整体能效,轻松应对高温高负载的挑战。

这颗芯片采用紧凑的PowerFlat HV封装,不仅散热性能出色,更能帮您节省宝贵的电路板空间,实现更精巧的产品设计。其优异的动态性能和低栅极电荷,确保了快速、干净的开关动作,让您的系统运行更稳定、更安静。选择STL18N55M5,就是为您的电源方案注入一颗强劲而高效的心脏。

  • 型号:STL18N55M5
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • STL18N55M5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STL18N55M5 基本参数:

  • 电子零件型号:STL18N55M5
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STL18N55M5的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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