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还在为射频前端设计的功率与效率平衡而烦恼吗？让PD85035-E来为您解决！这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频FET，专为870MHz高频应用优化，能轻松将您的信号放大至15W的强大输出，同时提供高达17dB的增益，确保信号传输既强劲又清晰。

它能在13.6V的电压下高效工作，帮助您的系统显著降低整体能耗。采用先进的PowerSO-10RF封装，散热性能卓越，让您在设计高可靠性、长寿命的通信基站、射频功放等产品时更加得心应手。选择PD85035-E，就是选择了一个高效、稳定且强大的射频核心，让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:PD85035-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:350 mA
• 功率 - 输出:15W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD85035-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。