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还在为高功率开关应用中的效率瓶颈和散热难题而困扰吗？让STE180NE10为您带来变革性的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET是您实现高效能量控制的得力助手，其100V的耐压和高达180A的连续电流处理能力，让您能够轻松驾驭伺服驱动、大功率电源转换等严苛应用。

它采用先进的STripFET技术和ISOTOP封装，不仅将导通电阻降至极低水平（典型值6mΩ @40A, 10V），显著减少导通损耗，更能实现卓越的散热性能。这意味着您可以在提升系统功率密度的同时，有效控制温升，确保设备长期稳定、高效地运行。选择它，就是为您的产品选择了可靠的心脏与持久的竞争力。

• 型号:STE180NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:795 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:21000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE180NE10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。