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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热挑战烦恼吗？STW23N80K5正是为您破局而来的利器。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的漏源电压和16A的连续电流能力，其核心使命就是让您的电源转换和电机控制方案变得更高效、更紧凑。

它凭借低至280毫欧的导通电阻，显著降低了导通损耗，直接提升系统能效，让您轻松应对日益严苛的能效法规。同时，优化的开关特性帮助您减少散热设计负担，并有效控制电磁干扰。无论是工业驱动、UPS电源还是新能源设备，选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠的核心动力。

• 型号:STW23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。