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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STL140N6F7为您带来颠覆性的改变。这颗N沟道MOSFET集成了ST领先的STripFET VII与DeepGATE技术，在60V的电压平台上，为您提供高达145A的电流承载能力和惊人的2.5毫欧超低导通电阻，直接大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerFlat（5x6）封装，在极小的占板面积内实现了优异的散热性能，非常适合空间受限的高密度电源设计。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，进一步减少开关损耗。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高性能电源、电机驱动或汽车电子系统，选择它，就是选择了一条通往更高性能、更可靠运行的捷径。

• 型号:STL140N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):145A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL140N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。