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您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关核心吗？STGP10NB60SD正是为您而来！这颗来自意法半导体的600V/29A IGBT，采用先进的PowerMESH技术，能够显著降低导通和开关损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它拥有低至1.75V的饱和压降和优异的开关速度，能帮助您轻松提升系统整体能效，减少散热设计压力。高达80W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种严苛环境下都能稳定输出，为您的产品提供坚固耐用的动力心脏。

• 型号:STGP10NB60SD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 29A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:29 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.75V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:80 W
• 开关能量:600J（导通），5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:33 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:700ns/1.2s
• 测试条件:480V，10A，1 千欧，15V
• 反向恢复时间 (trr):37 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP10NB60SD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。