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您正在寻找一颗能扛起高电压、大电流重任，同时又能保持冷静高效的核心开关器件吗？STP10NK60Z正是为此而来。这颗N沟道功率MOSFET拥有600V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力，专为 demanding 的开关应用设计，让您的电源、电机驱动或照明系统获得强大的动力心脏。

它采用了ST引以为傲的SuperMESH技术，核心优势在于极低的导通电阻（典型值低至750毫欧）和优化的栅极电荷。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，让电能转换更高效，系统发热更少，从而帮助您轻松提升整机能效和可靠性。其坚固的TO-220AB封装确保了出色的散热性能，宽工作温度范围则让它能从容应对各种环境挑战。

• 型号:STP10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。