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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭30V电压、5A电流，同时驱动简单、效率出众的P沟道MOSFET？STS5PF30L正是您的理想之选。它基于ST先进的STripFET技术，在仅4.5V的低驱动电压下即可实现高效导通，其最大导通电阻低至55毫欧，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松设计高效的负载开关、电池反接保护和DC-DC转换电路。其极低的栅极电荷（仅16nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升整体系统效率。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，它能帮助您最大化节省PCB空间，是便携式设备、电源管理等应用追求高性能与小尺寸的完美平衡点。

• 型号:STS5PF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS5PF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。