我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STFU9N65M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要高效功率转换的电源吗？STFU9N65M2 N沟道MOSFET正是为您而来的解决方案。它拥有650V的高耐压和5A的连续电流能力，结合其MDmesh M2技术带来的超低导通电阻，能显著减少开关损耗和发热，让您的电源系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片的卓越之处在于其快速开关特性与易驱动性的完美结合。低栅极电荷和输入电容让驱动电路设计变得轻松简单，帮助您缩短开发时间。无论是用于反激式转换器、功率因数校正（PFC）还是电机驱动，它都能提供稳定可靠的性能，让您轻松应对各种中功率应用挑战，全面提升终端产品的能效和可靠性。

• 型号:STFU9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU9N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。